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      新技術可讓金屬鉑“化身”半導體

      來源: 新華社| 2018-08-10 10:57:21

      日本研究人員最新研究發現,金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時,可以擁有類似硅等半導體的特性。研究人員認為,這一發現挑戰了對于半導體材料的傳統認知,有助于推動相關領域發展。

      傳統意義上,金屬和半導體被嚴格區分,金屬一般導電性能好,而半導體介于絕緣體和導體之間,導電性可受控制。用硅等常見半導體材料制造的晶體管廣泛應用于各種電子設備中。

      京都大學研究小組發現,在一種名為“釔鐵石榴石”的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時,它可以像半導體一樣,通過外部電壓控制電阻。

      此外,研究人員還發現鉑能夠大幅調節和控制“自旋軌道耦合”這一效應。自旋軌道耦合是指粒子自旋和軌道運動之間的相互作用,在自旋電子學等研究中扮演關鍵角色。半導體或其他新材料的研究常常會涉及這一效應。

      研究小組稱,這一發現與傳統的固體物理學常識不符,將有助于電子學和自旋電子學領域的發展。這一研究成果已發表在新一期英國《自然·通訊》雜志上。(華義)

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